Page 51 - 《橡塑技术与装备》2023年7期
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综述与专论                                                潘丽 等·电子级聚酰亚胺薄膜的市场现状和研究进展


                基板。                                               拉伸条件等可以有效控制成膜的 POC。
                    除了从分子结构层面设计以达到降低 CTE 的目的                      2.2 OLED 柔性显示用 PI 膜
                外,也可通过聚酰亚胺成膜工艺的改进和创新,也可                               近几年,OLED 柔性显示技术正向可折叠、可卷
                实现这一目的。影响聚酰亚胺聚集态结构和热膨胀系                           曲方向发展,而实现柔性化的关键材料是聚酰亚胺薄
                数的因素,包括所用溶剂、涂膜方式、凝胶化过程、                           膜,柔性显示需要使用聚酰亚胺薄膜的单元包括 :显
                酰亚胺化方法和过程、牵伸条件以及退火条件等                      [4] 。  示基板、显示封装基板、触屏基板,触屏盖板,显示
                众多生产厂商通过双向拉伸工艺和牵伸比 TD/MD 的                        屏盖板等。OLED 显示使用的聚酰亚胺薄膜需兼有耐
                合理控制实现了 PI 薄膜的低 CTE 和各向同性。而聚                      高温和无色透明等两方面的性能。
                酰胺酸凝胶膜的可牵伸性取决于溶剂含量,只有当溶                               在柔性 OLED  器件的加工过程中,低温多晶硅薄
                剂含量在 30%~50% 之间,聚酰亚胺胶膜才可以在 TD                     膜晶体管(LTPS-TFT)的加工温度不低于 450  ℃,
                和 MD 方向均可以牵伸。为了提高生产效率,在溶剂                         因此,聚酰亚胺薄膜作为柔性基板也要求极高的耐热
                含量较高时进行双向拉伸和亚胺化,可在聚酰胺酸溶                           性能(T g   >450  ℃)。另外还要求聚酰亚胺薄膜在室温
                液中添加脱水剂和催化剂,采用化学亚胺化反应,得                           ~400  ℃范围内具有超低热膨胀系数 CTE<4  ppm/  ℃,
                到的聚酰亚胺溶液可进行更高速率的牵伸,最终得到                           以确保高温制程中的尺寸稳定性。相较于 FCCL 中聚
                低 CTE 和机械性能良好的 PI 薄膜。                             酰亚胺薄膜的低 CTE,柔性显示基板要求更低 CTE<4
                2.1.2 低介电损耗的 PI 膜                                 ppm/℃。在结构设计上,柔性显示基板所用聚酰亚胺
                    高分子电介质材料的介电常数(D k )可由以下公                      可采用刚性棒状、分子间氢键或化学交联基团等结构
                式表示 :                                             单元,以实现超高耐热、超低热膨胀系数。
                           D k =(1+2(P/V))(1-(P/V))                      (1)  传统 PI 透明薄膜通常为黄色或棕色,因其一般为
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                    式中 : P 为高 分子中官 能团的 摩尔极化 度 (cm /               芳香族二酐与二胺缩聚制得,其主链上有共轭芳环结
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                mol),V 为高分子中官能团的摩尔体积 (cm /mol)。由                  构的存在,使得在给电子二胺和吸电子二酐之间容易
                式(1)可以看出,高分子材料的介电常数与 P/V 成正比,                     形成分子内和分子间电荷转移络合物 CTC,从而使得
                摩尔极化度 P 越小,或者是摩尔体积 V 越大,则高分                       PI 在可见光区域的透光性变差,限制了其在柔性光电
                子的 D k 越小。因此,设计高分子的结构时,可以从以                       器件的应用     [7] 。为提高 PI 薄膜的透明度,众多科研者
                下几点考虑 :                                           在设计 PI 分子结构时引入大取代基、含氟基团或引入
                   (1)引入极化度低的官能团,如含氟集团(—F)、                       脂环结构二酐或二胺等,有效抑制 PI 分子链中 CTC
                亚甲基(—CH 2 —)、甲基(—CH 3 )等。                         的形成,进而得到无色透明的 PI 薄膜             [8] 。三种方法制
                   (2)引入摩尔体积大的官能团,如苯基或芳香类                         备的 PI 薄膜综合性能各有利弊,大取代基的引入会显
                官能团。                                              著增大分子链间距离,从而阻碍 CTC 的形成,但是该
                   (3)避免引入 P/V 值高的官能团,如羟基、羧基等。                    方法制备过程繁琐,成本较高,产率较低 ;含氟基团
                    与低热膨胀系数 CTE 的调控类似,亚胺化工艺对                      的引入可降低二胺的给电子能力,提高了其在紫外可
                PI 薄膜的介电常数也有显著的影响。TSUTSUMI M              [5]  提  见光区域的透过率,但是氟原子的加入会造成热稳定
                出,亚胺化条件可影响 PI 薄膜的平面取向系数 POC,                      性降低、力学性能下降等,以上两种方法在工业化进
                该参数直接影响 PI 薄膜的介电损耗特性。POC 是描                       程中受到的阻力比较大,不适合工业化推广                   [9]  ;引入
                述高分子材料分子高阶结构的重要表征参数,它可以                           脂环结构的 PI 膜分为全脂环族 PI 和和半芳香族 PI,
                定量地表示聚合物薄膜中晶格的特定表面相对于薄膜                           前者因不含共轭芳环结构,且具有较低的分子堆积密
                表面的取向程度。晶格是构成薄膜分子中具有高度有                           度和极化率,分子内 / 分子间 CTC 的形成受到限制,
                序性的结晶部分构成单元,POC 值越高,说明上述特                         该类薄膜具有低的介电常数和较高的光学透明度,但
                定晶格表面的取向与薄膜表面的取向之间差异越小,                           其耐温性和刚性很差,综合性能大打折扣,实用性差。
                也就是薄膜分子结构中存在更多的高度有序结构,这                           后者因含有芳香结构,热性能比全脂肪族或脂环型好,
                种结构的存在可显著降低 PI 薄膜的介电损耗                [6] 。在亚     而脂环的存在能增加透明度,是现阶段平衡耐热性和
                胺化过程中,调整聚酰胺酸自支撑膜的升温程序以及                           透明性的一种有效解决办法。


                2023     第   49 卷                                                                       ·3·
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